DMN2005DLP4K-7

DMN2005, DMN2005DLP4K-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMN2005DLP4K-7
Корпус микросхемы
Корпус
6-DFN
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<350 мВт
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<200 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.5 ОмId, Vgs = 10mA, 4V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2