На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMG9926UDM-7 | DMG9926USD-13 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-26 | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <980 мВт | <1.3 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 856 пФVds = 10V | 867 пФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.2 А | <8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <28 мОмId, Vgs = 8.2A, 4.5V | <24 мОмId, Vgs = 8.2A, 4.5V |
Заряд затвора | QG | 8.3 нCVgs = 4.5V | 8.8 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |