DMG1016U

DMG1016U, DMG1016UDW-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMG1016UDW-7
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<330 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
60.67 пФVds = 16V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.07 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<450 мОмId, Vgs = 600mA, 4.5V
Заряд затвора
QG
730 пCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<845 мА