DI9952T

DI9952, DI9952T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDI9952T
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9мм ширина)
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2 Вт
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2.9 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2