На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSO615NG | BSO615NV | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SO-8, 8-SOIC | SO-8, SO-8 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <2 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 380 пФVds = 25V | 340 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.6 А | <3.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <150 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V | <120 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 10V | 12 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |