На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC750N10NDG | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 720 пФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.2 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 13A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ |
Заряд затвора | QG | 11 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |