На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTM50HM75FT3G | APTM50HM75FTG | APTM50HM75SCTG | APTM50HM75STG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SP3 | SP4 Module | SP4 Module | SP4 Module |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |||
Мощность | P | <357 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.6 нФVds = 25V | 5.6 нФVds = 25V | 5.59 нФVds = 25V | 5.6 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <46 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | 4 N-Channel (H-Bridge) | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 23A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 123 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 4 | |||