На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTM50DHM35G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SP6 |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Мощность | P | <781 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 14 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <99 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Asymmetrical Bridge) |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <39 мОмId, Vgs = 49.5A, 10V |
Заряд затвора | QG | 280 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 |