APTM50AM38FTG

APTM50AM38, APTM50AM38FTG, APTM50AM38SCTG, APTM50AM38STG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTM50AM38FTGAPTM50AM38SCTGAPTM50AM38STG
Корпус микросхемы
Корпус
SP4 Module
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<694 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
11.2 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<500 В
Постоянный ток стока
IDSS
<90 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 N-Channel (Half Bridge)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 45A, 10V
Заряд затвора
QG
246 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2