APTM20AM05FTG

APTM20AM05, APTM20AM05FG, APTM20AM05FTG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTM20AM05FGAPTM20AM05FTG
Корпус микросхемы
Корпус
SP6
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<1.136 кВт<1.25 кВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
27.4 нФVds = 25V40.8 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<317 А<333 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 N-Channel (Half Bridge)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5 мОмId, Vgs = 158.5A, 10V<5 мОмId, Vgs = 166.5A, 10V
Заряд затвора
QG
448 нCVgs = 10V1.184 мкCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2