На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTM120H57FT3G | APTM120H57FTG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SP3 | SP4 Module |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <390 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.155 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <1.2 кВ | |
Постоянный ток стока | IDSS | <17 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 4 N-Channel (H-Bridge) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <684 мОмId, Vgs = 8.5A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 187 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 4 | |