На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | APTM100A13SCG | APTM100A13SG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SP6 | |
Производитель | Производитель | Microsemi-PPG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <1.25 кВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 15.2 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <1 кВ | |
Постоянный ток стока | IDSS | <65 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <156 мОмId, Vgs = 32.5A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 562 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | |