APTC60HM70T1G

APTC60HM70, APTC60HM70SCTG, APTC60HM70T1G, APTC60HM70T3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAPTC60HM70SCTGAPTC60HM70T1GAPTC60HM70T3G
Корпус микросхемы
Корпус
SP4 ModuleSP1 ModuleSP3
Производитель
Производитель
Microsemi-PPG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<250 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
7 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<39 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
4 N-Channel (H-Bridge)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<70 мОмId, Vgs = 39A, 10V
Заряд затвора
QG
259 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
4