AO6602

AO6602

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAO6602
Корпус микросхемы
Корпус
6-TSOP
Производитель
Производитель
Alpha & Omega Semiconductor In
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.15 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
240 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3.1 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N and P-Channel
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<75 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
Заряд затвора
QG
8.5 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
Постоянный ток стока второго транзистора
IDSS2
<2.7 А