2N7002D

2N7002D, 2N7002DW, 2N7002DW-7, 2N7002DW-7-F, 2N7002DWL6327, 2N7002DW-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2N7002DW2N7002DW-72N7002DW-7-F2N7002DWL63272N7002DW-TP
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorDiodes IncDiodes IncInfineon TechnologiesMicro Commercial Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<200 мВт<200 мВт<200 мВт<500 мВт<200 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
50 пФVds = 25V50 пФVds = 25V50 пФVds = 25V20 пФVds = 25V50 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<115 мА<115 мА<115 мА<300 мА<115 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V<7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V<7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V<3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V<7.5 ОмId, Vgs = 50mA, 5V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)(не задано)(не задано)OptiMOS™(не задано)
Заряд затвора
QG
(не задано)(не задано)(не задано)600 пCVgs = 10V(не задано)
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandard
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2