ZXMN3B01

ZXMN3B01, ZXMN3B01FTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXMN3B01FTA
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<625 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
258 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<150 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
Заряд затвора
QG
2.93 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate