На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ZXMN10B08E6TA | ZXMN10B08E6TC | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-6 | |
Производитель | Производитель | Diodes/Zetex | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.1 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 497 пФVds = 50V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.6 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <230 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 9.2 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |