ZXMN10A09

ZXMN10A09, ZXMN10A09KTC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXMN10A09KTC
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.15 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.313 нФVds = 50V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<85 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V
Заряд затвора
QG
26 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate