ZXM66P02N8TA

ZXM66P02, ZXM66P02N8TA, ZXM66P02N8TC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрZXM66P02N8TAZXM66P02N8TC
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.56 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.068 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6.4 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<25 мОмId, Vgs = 3.2A, 4.5V
Заряд затвора
QG
43.3 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Standard