На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TPCS8008-H(TE12L,Q | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-3R1F |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <600 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 600 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <250 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <580 мОмId, Vgs = 800mA, 10V |
Заряд затвора | QG | 10 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |