TPCF8B01(TE85L,F,M

TPCF8B01, TPCF8B01(TE85L), TPCF8B01(TE85L,F), TPCF8B01(TE85L,F,M

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрTPCF8B01(TE85L)TPCF8B01(TE85L,F)TPCF8B01(TE85L,F,M
Производитель
Производитель
Toshiba
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.35 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
470 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2.7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<110 мОмId, Vgs = 1.4A, 4.5V
Заряд затвора
QG
6 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Diode (Isolated)