На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TPCF8102(TE85L) | TPCF8102(TE85L,F) | TPCF8102(TE85L,F,M | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | VS-8 (2-3U1A) | ||
Производитель | Производитель | Toshiba | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <700 мВт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.55 нФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <6 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <30 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V | ||
Заряд затвора | QG | 19 нCVgs = 5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||