На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TPC8114(TE12L,Q,M) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 7.48 нФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 9A, 10V |
Заряд затвора | QG | 180 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |