На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TPC8109(TE12L) | TPC8109(TE12L,Q,M) | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOP | |
Производитель | Производитель | Toshiba | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.26 нФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 5A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 45 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |