На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TPC8018-H(TE12L) | TPC8018-H(TE12L,Q) | TPC8018-H(TE12LQM) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOP | 8-SOP | 2-6J1B |
Производитель | Производитель | Toshiba | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <1 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.265 нФVds = 10V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.6 мОмId, Vgs = 9A, 10V | ||
Заряд затвора | QG | 38 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||