На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TP0610KL-TR1-E3 | TP0610K-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <800 мВт | <350 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | (не задано) | 23 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <270 мА | <185 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | |
Заряд затвора | QG | 3 нCVgs = 15V | 1.7 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |