На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SUM110N04-03P-E3 | SUM110N04-04-E3 | SUM110N04-05H-E3 | SUM110N04-2M3L-E3 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <3.75 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6.5 нФVds = 25V | 6.8 нФVds = 25V | 6.7 нФVds = 25V | 13.6 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <110 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <2.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | |||
Заряд затвора | QG | 150 нCVgs = 10V | 200 нCVgs = 10V | 95 нCVgs = 10V | 360 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate |