На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STV160NF02LAT4 | STV160NF02LT4 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <210 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.5 нФVds = 15V | 4.8 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <160 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.5 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | STripFET™ | |
Заряд затвора | QG | 175 нCVgs = 10V | 160 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |