STT3PF30

STT3PF30, STT3PF30L

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTT3PF30L
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-6
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.6 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
420 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2.4 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<165 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
STripFET™
Заряд затвора
QG
7 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate