STS6PF30

STS6PF30, STS6PF30L

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTS6PF30L
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.67 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<30 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Серия MOSFET
Серия
STripFET™
Заряд затвора
QG
28 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate