На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STS1HNK60 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 156 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <300 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | SuperMESH™ |
Заряд затвора | QG | 10 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |