На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STS10PF30L | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.3 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <14 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | STripFET™ |
Заряд затвора | QG | 39 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |