STP8NM60

STP8NM60, STP8NM60D, STP8NM60FP, STP8NM60N, STP8NM60ND

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTP8NM60DSTP8NM60FPSTP8NM60NSTP8NM60ND
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<100 Вт<30 Вт<70 Вт<70 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
380 пФVds = 25V400 пФVds = 25V560 пФVds = 50V560 пФVds = 50V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В<650 В<600 В<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<8 А<8 А<7 А<7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V<1 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V<650 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V<700 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
MDmesh™MDmesh™MDmesh™FDmesh™
Заряд затвора
QG
18 нCVgs = 10V18 нCVgs = 10V19 нCVgs = 10V22 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard