STP70N10

STP70N10, STP70N10F4

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTP70N10F4
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<150 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
5.8 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<65 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<19.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Серия MOSFET
Серия
STripFET™
Заряд затвора
QG
85 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard