STP12NM50FD

STP12NM50, STP12NM50FD, STP12NM50FP, STP12NM50N

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTP12NM50FDSTP12NM50FPSTP12NM50N
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<160 Вт<35 Вт<100 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1 нФVds = 25V1 нФVds = 25V940 пФVds = 50V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<500 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12 А<12 А<11 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<400 мОмId, Vgs = 6A, 10V<350 мОмId, Vgs = 6A, 10V<380 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
FDmesh™MDmesh™MDmesh™
Заряд затвора
QG
12 нCVgs = 10V39 нCVgs = 10V30 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard