STL150N3LLH6

STL150N3L, STL150N3LLH5, STL150N3LLH6

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTL150N3LLH5STL150N3LLH6
Корпус микросхемы
Корпус
PowerFlat™ (6 x 5)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<4 Вт<80 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
5.8 нФVds = 25V3.7 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<35 А<33 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.75 мОмId, Vgs = 17.5A, 10V<2 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
STripFET™
Заряд затвора
QG
40 нCVgs = 4.5V29 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateStandard