STF30NM60ND

STF30NM60, STF30NM60N, STF30NM60ND

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTF30NM60NSTF30NM60ND
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220FP
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<40 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.7 нФVds = 50V2.8 нФVds = 50V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<25 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<130 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
MDmesh™FDmesh™
Заряд затвора
QG
91 нCVgs = 10V100 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard