STE70NM50

STE70NM50

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTE70NM50
Корпус микросхемы
Корпус
ISOTOP
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<600 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
7.5 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<500 В
Постоянный ток стока
IDSS
<70 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<50 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Серия MOSFET
Серия
MDmesh™
Заряд затвора
QG
266 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard