На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STD9NM50N | STD9NM50N-1 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия |
Мощность | P | <70 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 570 пФVds = 50V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <7.5 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <560 мОмId, Vgs = 3.7A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | MDmesh™ | |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |