STD50N03

STD50N03, STD50N03L, STD50N03L-1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTD50N03LSTD50N03L-1
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйВ отверстия
Мощность
P
<60 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.434 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<40 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<10.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серия MOSFET
Серия
STripFET™
Заряд затвора
QG
14 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate