STD30NE06LT4

STD30NE06, STD30NE06L, STD30NE06LT4

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTD30NE06LSTD30NE06LT4
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<55 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.37 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<30 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<28 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Серия MOSFET
Серия
STripFET™
Заряд затвора
QG
41 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate