На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STD1NK80Z-1 | STD1NK80ZT4 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <45 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 160 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <800 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <1 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <16 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | SuperMESH™ | |
Заряд затвора | QG | 7.7 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |