STD16N65

STD16N65, STD16N65M5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTD16N65M5
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<90 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.25 нФVds = 100V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<650 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<299 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
MDmesh™
Заряд затвора
QG
45 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard