На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STD11NM60N | STD11NM60N-1 | STD11NM60ND | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <90 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 850 пФVds = 50V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <450 мОмId, Vgs = 5A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | MDmesh™ | MDmesh™ | FDmesh™ |
Заряд затвора | QG | 31 нCVgs = 10V | 31 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||