STD100NH03

STD100NH03, STD100NH03LT4

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSTD100NH03LT4
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<100 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.1 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<60 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Серия MOSFET
Серия
STripFET™
Заряд затвора
QG
77 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate