На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STB8NM60D | STB8NM60N | STB8NM60T4 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <100 Вт | <70 Вт | <100 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 380 пФVds = 25V | 560 пФVds = 50V | 400 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | <600 В | <650 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <8 А | <7 А | <8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <650 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V | <1 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | MDmesh™ | ||
Заряд затвора | QG | 18 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||