На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STB80NF55-06-1 | STB80NF55-06T4 | STB80NF55-08-1 | STB80NF55-08T4 | STB80NF55L-06T4 | STB80NF55L-08-1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Мощность | P | <300 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.4 нФVds = 25V | 4.4 нФVds = 25V | 3.85 нФVds = 25V | 3.85 нФVds = 25V | 4.85 нФVds = 25V | 4.35 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <6.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <6.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 40A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | STripFET™ | |||||
Заряд затвора | QG | 189 нCVgs = 10V | 189 нCVgs = 10V | 155 нCVgs = 10V | 155 нCVgs = 10V | 136 нCVgs = 5V | 100 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate | Standard |