На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STB4NK60Z-1 | STB4NK60ZT4 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <70 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 510 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <4 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2 ОмId, Vgs = 2A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | SuperMESH™ | |
Заряд затвора | QG | 26 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |