На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STB25NM60N | STB25NM60N-1 | STB25NM60ND | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <160 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.4 нФVds = 50V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <21 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 10.5A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | MDmesh™ | MDmesh™ | FDmesh™ |
Заряд затвора | QG | 84 нCVgs = 10V | 84 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |