На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STB23NM60N | STB23NM60ND | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <150 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.05 нФVds = 50V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <19 А | <19.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | MDmesh™ | FDmesh™ |
Заряд затвора | QG | 60 нCVgs = 10V | 70 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |